SI2302DDS-T1-GE3 vs SI2301CDS-T1-E3 Сравнение
Это подробное сравнение SI2301CDS-T1-E3 и SI2302DDS-T1-GE3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOT-23-3
SOT-23-3
Описание
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Series
TrenchFET®
TrenchFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
405 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
710mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
