SI2302ADS-T1-E3 vs SI2304DDS-T1-GE3

Это подробное сравнение SI2302ADS-T1-E3 и SI2304DDS-T1-GE3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2302ADS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 7595 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

SI2304DDS-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 5788 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2302ADS-T1-E3	SI2304DDS-T1-GE3
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.1A (Ta)	3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	2.5V, 4.5V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	60mOhm @ 3.6A, 4.5V	60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.2V @ 50µA	2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V	6.7 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±8V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	300 pF @ 10 V	235 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)	1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	-	TrenchFET®

Compare RFQ