SI2305-TP vs SI2304DDS-T1-GE3 Сравнение
Это подробное сравнение SI2305-TP и SI2304DDS-T1-GE3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOT-23
SOT-23-3
Описание
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Series
-
TrenchFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
90mOhm @ 2A, 1.8V
60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
900mV @ 250µA
2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
6.7 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±8V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
235 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
