SI2305-TP vs SI2302DDS-T1-GE3

Это подробное сравнение SI2305-TP и SI2302DDS-T1-GE3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2305-TP

Микрокоммерческая компания

Lifecycle: Active
Stock: 6247 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 4873 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2305-TP	SI2302DDS-T1-GE3
Series	-	TrenchFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	4.1A (Ta)	2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	90mOhm @ 2A, 1.8V	57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	900mV @ 250µA	850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V	5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±8V	±8V
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	710mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ