SI4946BEY-T1-E3 vs SI4948BEY-T1-E3

Это подробное сравнение SI4946BEY-T1-E3 и SI4948BEY-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI4946BEY-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
4646 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

SI4948BEY-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
6037 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI4946BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.5A 2.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V 120mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 22nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 840pF @ 30V -
Power - Max 3.7W 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ