STD10N60M2 vs STD10PF06T4

Это подробное сравнение STD10PF06T4 и STD10N60M2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
STD10PF06T4

+БОМ

5893 ПКС | STМикроэлектроника
STD10N60M2

+БОМ

3159 ПКС | STМикроэлектроника
Пакет TO-252 TO-252-3
Описание MOSFET P-CH 60V 10A DPAK MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Series STripFET™ II MDmesh™ II Plus
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10A (Tc) 7.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 200mOhm @ 5A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 21 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 850 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 40W (Tc) 85W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : STD10PF06T4 STD10N60M2

+БОМ RFQ