STD10NF10T4 vs STD10N60M2

Это подробное сравнение STD10N60M2 и STD10NF10T4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
STD10N60M2

+БОМ

3159 ПКС | STМикроэлектроника
STD10NF10T4

+БОМ

6021 ПКС | STМикроэлектроника
Пакет TO-252-3 TO-252-3
Описание MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Series MDmesh™ II Plus STripFET™ II
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.5A (Tc) 13A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13.5 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 400 pF @ 100 V 460 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc) 50W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : STD10N60M2 STD10NF10T4

+БОМ RFQ