STD10P10F6 vs STD10NF10T4

Это подробное сравнение STD10NF10T4 и STD10P10F6 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
STD10NF10T4

+БОМ

6021 ПКС | STМикроэлектроника
STD10P10F6

+БОМ

4788 ПКС | STМикроэлектроника
Пакет TO-252-3 TO-252-3
Описание MOSFET N-CH 100V 13A DPAK MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Series STripFET™ II STripFET™ F6
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13A (Tc) 10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 5A, 10V 180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 21 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 460 pF @ 25 V 864 pF @ 80 V
PowerDissipation(Max) 50W (Tc) 40W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : STD10NF10T4 STD10P10F6

+БОМ RFQ