STF10LN80K5 vs STF10NM60N

Это подробное сравнение STF10LN80K5 и STF10NM60N предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STF10LN80K5

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
1313 ПКС
Package
TO-220FP
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

STF10NM60N

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
5252 ПКС
Package
TO-220F
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STF10LN80K5 STF10NM60N
Series MDmesh™ MDmesh™ II
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) 10A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 630mOhm @ 4A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 427 pF @ 100 V 540 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 25W (Tc) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ