STPSC1006D
STМикроэлектроника
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 15569 ПКС
- Package
- TO-220-2
- Series
- Диоды - Исправители - Single
Это подробное сравнение STPSC1006D и STPSC12H065CT предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
STМикроэлектроника
STМикроэлектроника
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | STPSC1006D | STPSC12H065CT |
|---|---|---|
| Supplier | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Part Status | Active | Active |
| Diode Configuration | - | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | - | 6A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A | 1.75 V @ 6 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 600 V | 60 µA @ 650 V |
| Operating Temperature - Junction | - | -40°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| Current - Average Rectified(Io) | 10A | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | - |
| Capacitance @ Vr F | 650pF @ 0V, 1MHz | - |