STPSC40H12CWL
STМикроэлектроника
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 23160 ПКС
- Package
- TO-247-3
- Series
- Диоды - Исправители - Массивы
Это подробное сравнение STPSC40H12CWL и STPSC1006G-TR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
STМикроэлектроника
STМикроэлектроника
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | STPSC40H12CWL | STPSC1006G-TR |
|---|---|---|
| Supplier | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Part Status | Active | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | - | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 20 A | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 120 µA @ 1200 V | 150 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr F | - | 650pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole | Surface Mount |
| Series | ECOPACK® | - |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | - |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 38A | - |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C | - |