STPSC8H065D vs STPSC10H065D

Это подробное сравнение STPSC10H065D и STPSC8H065D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
STPSC10H065D

+БОМ

7060 ПКС | STМикроэлектроника
STPSC8H065D

+БОМ

4266 ПКС | STМикроэлектроника
Пакет TO-220-2 TO-220-2
Описание DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
ProductStatus Active Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 650 V 650 V
Current-AverageRectified(Io) 10A 8A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 100 µA @ 650 V 80 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 480pF @ 0V, 1MHz 414pF @ 0V, 1MHz
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : STPSC10H065D STPSC8H065D

+БОМ RFQ