TLC271BIDR vs TLC27M2IDG4

Это подробное сравнение TLC271BIDR и TLC27M2IDG4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

TLC271BIDR

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 4844 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Линейные - Усилетели - Приборы, ОП Усилетели, Буферные Усилетели

+БОМ RFQ

Part B

TLC27M2IDG4

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 9413 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Линейные - Усилетели - Приборы, ОП Усилетели, Буферные Усилетели

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	TLC271BIDR	TLC27M2IDG4
Supplier	-	Texas Instruments
Series	LinCMOS™	LinCMOS™
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type	General Purpose	CMOS
Number of Circuits	1	2
Slew Rate	5.3V/µs	0.62V/µs
Gain Bandwidth Product	2.2 MHz	635 kHz
Current - Input Bias	0.7 pA	0.7 pA
Voltage - Input Offset	390 µV	1.1 mV
Supply Current	950µA	285µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	30 mA	30 mA
Voltage - Supply Span(Min)	4 V	4 V
Voltage - Supply Span(Max)	16 V	16 V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ