TLC271BIDR vs TLC27M2MDG4 Сравнение

Это подробное сравнение TLC271BIDR и TLC27M2MDG4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
TLC271BIDR

+БОМ

4844 ПКС | Техасские инструменты
TLC27M2MDG4

+БОМ

3674 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type General Purpose CMOS
Number of Circuits 1 2
Slew Rate 5.3V/µs 0.62V/µs
Gain Bandwidth Product 2.2 MHz 635 kHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 390 µV 1.1 mV
Supply Current 950µA 285µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 4 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -55°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : TLC271BIDR TLC27M2MDG4

+БОМ RFQ