UCC27200DDAR vs UCC27200D Сравнение

Это подробное сравнение UCC27200DDAR и UCC27200D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27200DDAR

+БОМ

2054 ПКС | Техасские инструменты
UCC27200D

+БОМ

7093 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR UCC27200 120V BOOT, 3-A PEAK, HI
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 8V ~ 17V -
Logic Voltage - VILVIH 3V, 8V -
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns -
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Модель сравнения : UCC27200DDAR UCC27200D

+БОМ RFQ