UCC27200DDAR vs UCC27200DR Сравнение

Это подробное сравнение UCC27200DR и UCC27200DDAR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27200DR

+БОМ

9886 ПКС | Техасские инструменты
UCC27200DDAR

+БОМ

2054 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type MOSFET (N-Channel) N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH - 3V, 8V
Current - Peak Output(Source Sink) - 3A, 3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 120 V
Rise / Fall Time(Typ) - 8ns, 7ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number UCC27200 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Logic Voltage - VIL, VIH 3V, 8V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 3A, 3A -
Rise / Fall Time (Typ) 8ns, 7ns -
Packaging Bulk, Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 120 V -
Модель сравнения : UCC27200DR UCC27200DDAR

+БОМ RFQ