Изображения являются только для ссылки
1N6081US
+БОМDIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
-
ПроизводительТехнология микрочипов
-
Мфр. Часть #1N6081US
-
Лист данных 1N6081US DataSheet
-
Пакет SQ-MELF, G
-
В наличии5179
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 150 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 2A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.5 V @ 37.7 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 30 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 150 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SQ-MELF, G |
| SupplierDevicePackage | G-MELF (D-5C) |
