Изображения являются только для ссылки
1N6630US
+БОМDIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
-
ПроизводительТехнология микрочипов
-
Мфр. Часть #1N6630US
-
Лист данных 1N6630US DataSheet
-
Пакет E-MELF
-
В наличии7561
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 900 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1.4A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 3 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 50 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 4 µA @ 100 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | E-MELF |
| SupplierDevicePackage | D-5B |
