Изображения являются только для ссылки
APT1201R2BLLG
+БОМMOSFET N-CH 1200V 12A TO247
-
ПроизводительТехнология микрочипов
-
Мфр. Часть #APT1201R2BLLG
-
В наличии26
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package | Tube |
| Series | POWER MOS 7® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 12A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.2Ohm @ 6A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3100 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 400W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-247-3 |
