APT33GF120LRDQ2G

Изображения являются только для ссылки

APT33GF120LRDQ2G

+БОМ

IGBT 1200V 64A 357W TO264

  • ПроизводительТехнология микрочипов

  • Мфр. Часть #APT33GF120LRDQ2G

  • Пакет TO-264-3

  • В наличии7234

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
IGBT Type NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 64 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 75 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 3V @ 15V, 25A
Power - Max 357 W
Switching Energy 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge 170 nC
Td(on / off) @ 25°C 14ns/185ns
Test Condition 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

Продукты, связанные с APT33GF120LRDQ2G