APTC90H12T2G

Изображения являются только для ссылки

APTC90H12T2G

+БОМ

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

  • Производителькорпорации Microsemi

  • Мфр. Часть #APTC90H12T2G

  • Пакет SP-2

  • В наличии9657

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Tray
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
FET Type 4 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A
Rds On(Max) @ Id Vgs 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6800pF @ 100V
Power - Max 250W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с APTC90H12T2G