Изображения являются только для ссылки
APTGT50A60T1G
+БОМIGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
-
Производителькорпорации Microsemi
-
Мфр. Часть #APTGT50A60T1G
-
Лист данных APTGT50A60T1G DataSheet
-
Пакет SP-1
-
В наличии3865
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 80 A |
| Power - Max | 176 W |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 250 µA |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 3.15 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
