APTGT75DA120D1G

Изображения являются только для ссылки

APTGT75DA120D1G

+БОМ

IGBT MODULE 1200V 110A 357W D1

  • Производителькорпорации Microsemi

  • Мфр. Часть #APTGT75DA120D1G

  • Пакет D1

  • В наличии4592

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Discontinued at Digi-Key
IGBT Type Trench Field Stop
Configuration Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 110 A
Power - Max 357 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.1V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff(Max) 4 mA
Input Capacitance(Cies) @ Vce 5.345 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с APTGT75DA120D1G