Изображения являются только для ссылки
APTM10DHM09TG
+БОМMOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
-
Производителькорпорации Microsemi
-
Мфр. Часть #APTM10DHM09TG
-
Лист данных APTM10DHM09TG DataSheet
-
Пакет SP-4
-
В наличии2306
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 139A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Power - Max | 390W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
