Изображения являются только для ссылки
APTM20DHM10G
+БОМMOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
-
Производителькорпорации Microsemi
-
Мфр. Часть #APTM20DHM10G
-
Лист данных APTM20DHM10G DataSheet
-
Пакет SP-6
-
В наличии7968
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 175A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 12mOhm @ 87.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Power - Max | 694W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
