Изображения являются только для ссылки
APTM50DHM35G
+БОМMOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
-
Производителькорпорации Microsemi
-
Мфр. Часть #APTM50DHM35G
-
Лист данных APTM50DHM35G DataSheet
-
Пакет SP-6
-
В наличии4681
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 99A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 39mOhm @ 49.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Power - Max | 781W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
