Изображения являются только для ссылки
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #AUIRF7341Q
-
Лист данных AUIRF7341Q DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии3959
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tube |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5.1A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
| Power - Max | 2.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
