AUIRF7343Q

Изображения являются только для ссылки

AUIRF7343Q

+БОМ

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #AUIRF7343Q

  • Лист данных AUIRF7343Q DataSheet

  • Пакет SOIC-8

  • В наличии2544

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.7A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 740pF @ 25V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с AUIRF7343Q