BS2101F-E2

Изображения являются только для ссылки

BS2101F-E2

+БОМ

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #BS2101F-E2

  • Лист данных BS2101F-E2 DataSheet

  • Пакет SOP-8

  • В наличии4418

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Package Cut Tape (CT)
ProductStatus Not For New Designs
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side
ChannelType Synchronous
NumberofDrivers 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH 1V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) 60mA, 130mA
InputType Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V
Rise/FallTime(Typ) 60ns, 20ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

Продукты, связанные с BS2101F-E2