BS2101F-E2

Изображения являются только для ссылки

BS2101F-E2

+БОМ

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #BS2101F-E2

  • Лист данных BS2101F-E2 DataSheet

  • Пакет SOP-8

  • В наличии4418

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Not For New Designs
Driven Configuration High-Side or Low-Side
Channel Type Synchronous
Number of Drivers 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 60mA, 130mA
Input Type Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 60ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с BS2101F-E2