Изображения являются только для ссылки
IGBT MOD 1700V 110A 625W
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #BSM75GB170DN2HOSA1
-
Лист данных BSM75GB170DN2HOSA1 DataSheet
-
Пакет Module
-
В наличии642
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk,Tray |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 1700 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 110 A |
| Power - Max | 625 W |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 11 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
