Изображения являются только для ссылки
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #BSO612CVGHUMA1
-
Лист данных BSO612CVGHUMA1 DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии5452
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Series | SIPMOS® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3A, 2A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 120mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 20µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
