Изображения являются только для ссылки
BSO612CVGHUMA1
+БОМMOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #BSO612CVGHUMA1
-
Лист данных BSO612CVGHUMA1 DataSheet
-
Пакет SOIC-8
-
В наличии5452
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Series | SIPMOS® |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N and P-Channel |
| FETFeature | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3A, 2A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 120mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 20µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 15.5nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 340pF @ 25V |
| Power-Max | 2W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
