Изображения являются только для ссылки
BSZ0909NDXTMA1
+БОМMOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #BSZ0909NDXTMA1
-
Лист данных BSZ0909NDXTMA1 DataSheet
-
Пакет VDFN-8
-
В наличии4846
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | OptiMOS™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 360pF @ 15V |
| Power - Max | 17W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
