Изображения являются только для ссылки
C3M0120065D
+БОМ650V 120M SIC MOSFET
-
ПроизводительКомпания Wolfspeed, Inc.
-
Мфр. Часть #C3M0120065D
-
В наличии70
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Wolfspeed, Inc. |
| Package / Case | Tube |
| Series | C3M™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 15V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 157mOhm @ 6.76A, 15V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.6V @ 1.86mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Vgs(Max) | +19V, -8V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 640 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
