Изображения являются только для ссылки
DD1200S17H4B2BOSA2
+БОМDIODE MODULE 1200V 1200A
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #DD1200S17H4B2BOSA2
-
Лист данных DD1200S17H4B2BOSA2 DataSheet
-
Пакет Module
-
В наличии5808
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Tray |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 2 Independent |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1700 V |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 2.1 V @ 1200 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 1250 A @ 900 V |
| OperatingTemperature-Junction | -40°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Module |