DD800S17H4B2BOSA2

Изображения являются только для ссылки

DD800S17H4B2BOSA2

+БОМ

DIODE MODUL GP 1700V AGIHMB130-1

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #DD800S17H4B2BOSA2

  • Лист данных DD800S17H4B2BOSA2 DataSheet

  • Пакет Module

  • В наличии8874

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Infineon Technologies
Package Tray
ProductStatus Active
DiodeConfiguration 2 Independent
DiodeType Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 1700 V
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 2.1 V @ 800 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current-ReverseLeakage@Vr 900 A @ 900 V
OperatingTemperature-Junction -40°C ~ 150°C
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

Продукты, связанные с DD800S17H4B2BOSA2

  • Быстрая цитата

  • Отправьте запрос на котировку DD800S17H4B2BOSA2 Используя эту форму, мы ответим в течение 12 часов.