ECH8667-TL-H

Изображения являются только для ссылки

ECH8667-TL-H

+БОМ

MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH

  • ПроизводительОнсеми

  • Мфр. Часть #ECH8667-TL-H

  • В наличии12363

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Part Status Active
Base Product Number ECH8667
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Power - Max 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package 8-ECH
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

Продукты, связанные с ECH8667-TL-H