Изображения являются только для ссылки
EPC2103ENGRT
+БОМGANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
-
ПроизводительЭПК
-
Мфр. Часть #EPC2103ENGRT
-
Лист данных EPC2103ENGRT DataSheet
-
Пакет Die
-
В наличии3738
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | EPC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 23A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 7600pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
