EPC2106ENGRT

Изображения являются только для ссылки

EPC2106ENGRT

+БОМ

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

  • ПроизводительЭПК

  • Мфр. Часть #EPC2106ENGRT

  • Лист данных EPC2106ENGRT DataSheet

  • Пакет Die

  • В наличии3918

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier EPC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series eGaN®
Part Status Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 600µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 75pF @ 50V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Продукты, связанные с EPC2106ENGRT