Изображения являются только для ссылки
EPC8010
+БОМGANFET N-CH 100V 4A DIE
-
ПроизводительЭПК
-
Мфр. Часть #EPC8010
-
В наличии3132
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | EPC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 5V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 160mOhm @ 500mA, 5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 0.48 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 55 pF @ 50 V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
