Изображения являются только для ссылки
F1T6G A1G
+БОМDIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
-
ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников
-
Мфр. Часть #F1T6G A1G
-
Пакет T-18, Axial
-
В наличии8276
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package / Case | Tape & Box (TB) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Capacitance @ Vr F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TS-1 |
