Изображения являются только для ссылки
MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
-
ПроизводительОнсеми
-
Мфр. Часть #FDD3510H
-
Лист данных FDD3510H DataSheet
-
Пакет TO-252-5
-
В наличии8203
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 4.3A, 2.8A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 800pF @ 40V |
| Power - Max | 1.3W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
