Изображения являются только для ссылки
FDM21-05QC
+БОМMOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
-
ПроизводительИКСИС
-
Мфр. Часть #FDM21-05QC
-
Лист данных FDM21-05QC DataSheet
-
В наличии9715
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 220mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | ISOPLUS i4-PAC™ |
