FF225R12ME4_B11

Изображения являются только для ссылки

FF225R12ME4_B11

+БОМ

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

  • Производителькомпанией Infineon Technologies

  • Мфр. Часть #FF225R12ME4_B11

  • Лист данных FF225R12ME4_B11 DataSheet

  • Пакет Module

  • В наличии8705

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Part Status Active
IGBT Type Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 320 A
Power - Max 1050 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.15V @ 15V, 225A
Current - Collector Cutoff(Max) 3 mA
Input Capacitance(Cies) @ Vce 13 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с FF225R12ME4_B11