G2305

Изображения являются только для ссылки

G2305

+БОМ

P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<7

  • Производителькомпанией Goford Semiconductor

  • Мфр. Часть #G2305

  • В наличии2351

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3

Продукты, связанные с G2305