Изображения являются только для ссылки
G26P04D5
+БОМP40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
-
Производителькомпанией Goford Semiconductor
-
Мфр. Часть #G26P04D5
-
В наличии2592
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Goford Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 18mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2479 pF @ 20 V |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (4.9x5.75) |
