GPI65008DF56

Изображения являются только для ссылки

GPI65008DF56

+БОМ

GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6

  • ПроизводительГанПауэр

  • Мфр. Часть #GPI65008DF56

  • В наличии58

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier GaNPower
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.4V @ 3.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.1 nC @ 6 V
Vgs(Max) +7.5V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 63 pF @ 400 V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die

Продукты, связанные с GPI65008DF56