Изображения являются только для ссылки
IDC08S60CEX1SA3
+БОМDIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IDC08S60CEX1SA3
-
Лист данных IDC08S60CEX1SA3 DataSheet
-
Пакет Die
-
В наличии4222
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk |
| Series | CoolSiC™+ |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 8A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
