Изображения являются только для ссылки
IHW30N65R5
+БОМIHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IHW30N65R5
-
Лист данных IHW30N65R5 DataSheet
-
Пакет TO-247-3
-
В наличии2781
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| IGBTType | Trench Field Stop |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 650 V |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 60 A |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 90 A |
| Vce(on)(Max)@VgeIc | 1.7V @ 15V, 30A |
| Power-Max | 176 W |
| SwitchingEnergy | 850µJ (on), 240µJ (off) |
| InputType | Standard |
| GateCharge | 153 nC |
| Td(on/off)@25°C | 29ns/220ns |
| TestCondition | 400V, 30A, 13Ohm, 15V |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 95 ns |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-247-3 |
