Изображения являются только для ссылки
IKA08N65H5
+БОМIKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IKA08N65H5
-
Лист данных IKA08N65H5 DataSheet
-
Пакет TO-220-3
-
В наличии2877
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 650 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 10.8 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 24 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 31.2 W |
| Switching Energy | 70µJ (on), 30µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 22 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 11ns/115ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 48Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
