Изображения являются только для ссылки
IKD10N60RF
+БОМIKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #IKD10N60RF
-
Лист данных IKD10N60RF DataSheet
-
Пакет TO-252-3
-
В наличии5247
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 30 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 150 W |
| Switching Energy | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 64 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 12ns/168ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
